下一代功率器件關鍵技術：碳化硅

近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導體產業(yè)內重點關注的問題，以碳化硅為首的第三代半導體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產業(yè)化。與硅基半導體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢體現在：（1）能量損耗低。碳化硅模塊的開關損耗和導通損耗顯著低于同等IGBT模塊，且隨著開關頻率的提高，與IGBT模塊的損耗差越大，碳化硅模塊在降低損耗的同時可以實現高速開關，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車痛點；

（2）更 ……